[发明专利]一种广义菊属杂交后代茎尖染色体压片方法在审
| 申请号： | 202211633899.1 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN115931501A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;周园园;彭家伟;崔明青;李雪玲 | 申请（专利权）人： | 国纳之星（上海）纳米科技发展有限公司;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种广义菊属杂交后代茎尖染色体的压片方法，包括以下步骤：将广义菊属杂交后代茎尖剪下后放入到冰水共存条件中处理24h；配制固定溶液，在4℃环境中固定24h；清洗干净固定后的茎尖，将其放入HCI溶液中水浴解离；清洗茎尖，切取茎尖生长点，切碎后用卡宝品红染液上色；最后，在高倍显微镜下观察分裂的茎尖细胞，并对其染色体数进行统计。本发明克服了广义菊属杂交后代实生苗数量较少，根尖取材麻烦且对植株有破坏性等问题，对后续广义菊属杂交后代染色体的倍性鉴定和核型研究等方面，提供更为便捷和稳定的技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 广义 杂交 后代 染色体 压片 方法 | ||
【主权项】：
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