[发明专利]一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器在审
| 申请号： | 202211631711.X | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN115857091A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 朱赟 | 申请（专利权）人： | 合肥芯智华光子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/122;G02B6/126;G02B6/134;G02B6/136;G02B6/14;G02B6/28;G02B6/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市蜀山区南岗镇孔*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器，包括：波导层、波导保护层、硅基底；波导层包括：质子交换波导、MMI、过渡波导，它们集成于同一铌酸锂薄膜芯片上；过渡波导为双层锥形结构，满足绝热传输条件，用于质子交换波导与MMI的耦合；MMI包括：输入波导单元、多模干涉区、输出波导单元；与多模干涉区连接的输入输出波导均采用锥形结构，满足绝热传输条件；本发明解决了质子交换光波导与MMI之间的高效耦合的问题，并实现起偏分束的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 薄膜 mmi 起偏分束器 | ||
【主权项】：
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