[发明专利]半导体元件结构在审
申请号: | 202211627384.0 | 申请日: | 2022-12-16 |
公开(公告)号: | CN116709766A | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 章思尧;黄仲麟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一字元线、一第二字元线、一栅极介电结构、一通道层以及一位元线。该第一字元线与该第二字元线沿着一第一方向延伸。该栅极介电结构设置在该第一字元线的一第一侧壁上以及在该第二字元线的一第二侧壁上。该通道层设置在该栅极介电结构的一第一侧壁上。该位元线设置在该通道层上并沿着一第二方向延伸,该第二方向大致垂直于该第一方向。该通道层具有沿着该第一方向延伸的一第一侧壁以及沿着该第二方向延伸的一第二侧壁。该通道层的该第一侧壁具有一第一粗糙度。该通道层的该第二侧壁具有一第二粗糙度,其大于该通道层的该第一粗糙度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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