[发明专利]一种低维钙钛矿薄膜的制备方法及其太阳能电池在审
| 申请号： | 202211621354.9 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115666200A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 谢中祺;蒋青松;吴岳;魏梦园;赵娅;王春香;杨潇;荀威 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | H10K71/40 | 分类号： | H10K71/40;H10K71/12;H10K85/50;H10K30/30 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 廖娜 |
| 地址： | 223000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种低维钙钛矿薄膜的制备方法及其太阳能电池，低维钙钛矿薄膜的制备方法为：步骤一、称量对氟苯乙胺碘、碘甲胺、碘化铅、碘甲脒、甲基氯化胺和氯化铅，并分散于由二甲基甲酰胺和二甲基亚砜组成的混合溶液中，得低维钙钛矿前驱体溶液；步骤二、将所述低维钙钛矿前驱体溶液滴加在衬底上，快速旋涂10‑20s后对其进行逆序降温退火处理，得低维钙钛矿薄膜。本发明通过高转速旋涂快速形成低维钙钛矿湿膜，再采用逆序降温退火工艺处理，不仅能够制备多相结构垂直生长的低维钙钛矿薄膜，而且具有很好重复性，降低电池器件制备成本。本发明所述的逆序降温退火工艺，制备工艺简单、适宜工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低维钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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