[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211616740.9 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN116913873A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵南奎;金锡勋;柳廷昊;李峭蒑;朴判贵;申东石 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;邓思思 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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