[发明专利]分裂电容结构逐次逼近模数转换器校准电路及方法有效

专利信息
申请号: 202211605143.6 申请日: 2022-12-14
公开(公告)号: CN115940949B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 赵忠武;韩正琪 申请(专利权)人: 合肥健天电子有限公司
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10;H03M1/46;H03M1/38
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 苗娟
地址: 230088 安徽省合肥市高新区习友路33*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明的一种分裂电容结构逐次逼近模数转换器校准电路及方法,包括比较器、MSB阵列、LSB阵列、数字逻辑控制电路、分裂电容Cs及CDAC失配校准电路;分裂电容Cs的左右端分别与LSB阵列和MSB阵列相接;CDAC失配校准电路包括CDAC电容阵列和CDAC失配校准控制逻辑模块;CDAC电容阵列一端接LSB阵列;CDAC失配校准控制逻辑模块根据所述的比较器的输出,产生控制逻辑控制CDAC阵列中的开关阵列。本发明采用桥接电容结构引入的固有冗余电容作为校准DAC,合理的选择DAC精度和校准范围,结合校准时序,完成对MSB的电容匹配误差进行数字校准,不再需要额外的电容校准阵列,节约芯片成本。
搜索关键词: 分裂 电容 结构 逐次 逼近 转换器 校准 电路 方法
【主权项】:
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