[发明专利]一种掺杂硫化镍合金化合物电子相变材料的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202211590430.4 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116282235A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈吉堃;陈星;侯锦涛 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G53/11 | 分类号： | C01G53/11;C01G49/12;C01G37/00;C01B19/00;C01B19/04;H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于合金化合物电子相变材料领域，涉及一种掺杂硫化镍合金化合物电子相变材料的制备方法及应用，通过掺杂元素组分和合成工艺设计，实现元素掺杂硫化镍合金化合物的电阻率突变温度在室温附近及以上范围的连续调控且电阻率突变程度超过一个数量级。与传统的氧化物电子相变材料相比，本发明所制备的合金化合物电子相变材料的优势在于，具有良好的力学性能和可加工性，电阻率突变程度高。所制备掺杂硫镍化合物可进一步制作成突变式热敏电阻器件，强关联逻辑器件，红外伪装涂层，热致变色涂层，从而实现室温附近的突变式功能器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硫化 镍合金 化合物 电子 相变 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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