[发明专利]一种控制TSD缺陷的4H-SiC外延结构及生长方法在审
| 申请号： | 202211581942.4 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115832018A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 徐玉超;潘恩赐;郑晨扬;左万胜;袁松 | 申请（专利权）人： | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/06;H01L21/205;C30B25/20;C30B25/18;C30B29/36 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 孟迪 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种控制TSD缺陷的4H‑SiC外延结构及生长方法，属于半导体技术领域，该控制TSD缺陷的4H‑SiC外延结构，包括4H‑SiC衬底及其上依次生长的外延缓冲层Ⅰ、4H‑SiC缓冲层Ⅱ和4H‑SiC漂移层，外延缓冲层Ⅰ设置为6H‑SiC缓冲层或4H‑SiC缓冲层Ⅰ，本发明的有益效果是，本发明可有效减少TSD缺陷和TSD衍生缺陷密度，减少了器件漏电流，增大了器件反向击穿电压，提高了外延片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 tsd 缺陷 sic 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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