[发明专利]一种窄发光峰LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211546929.5 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN116314529A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王立;王伟;莫春兰;吴小明;蒋恺;李新华;刘志华 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法，所述LED芯片至少包括：P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层，介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率，对其余波长的光具有高反射率，从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜，将侧壁出射的光反射回LED芯片，减少侧壁出光的光串扰效应，同时提高正面出光效率。本发明的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽，提高了发光方向性，减小了光串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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