[发明专利]浅沟槽隔离结构平坦化的方法在审
| 申请号： | 202211483457.3 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115831737A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李琳;谈娟;王妍;管毓崧;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构平坦化的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底内形成隔离沟槽；于所述隔离沟槽内形成填充层且所述填充层延伸至有源区；采用等离子体处理工艺将形成于所述有源区的所述填充层表面的尖角进行去除。通过本发明降低了浅沟槽隔离结构平坦化过程中有源区的尖角折断造成的晶圆表面划伤的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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