[发明专利]一种硅通孔互联的空腔结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202211463871.8 | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN115621197B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 曹瑞霞;胡杏;李琳瑜;陈闰鹏 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 张彩锦;曹葆青 |
| 地址： | 430200 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体三维集成技术领域，公开了一种硅通孔互联的空腔结构及其形成方法：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆正面带有器件层；在第一硅晶圆的器件层上沉积第一介质层，并在第一介质层上刻蚀形成TDV；在TDV上沉积第二介质层，以使TDV开口封闭且内部中空；在封口后的第一硅晶圆正面进行RDL，形成布线层；将第一硅晶圆与第二硅晶圆键合并减薄，第二硅晶圆为也具有布线层的硅晶圆，第一硅晶圆的布线层与第二硅晶圆的布线层相对设置；在键合后的第一硅晶圆的背面进行刻蚀，使得TDV再次开口连通，且被刻蚀后的TDV底部停留在第一停留层上，从而得到空腔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔互联 空腔 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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