[发明专利]一种物理气相沉积方法在审
| 申请号： | 202211452092.8 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115802878A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 谷丹;邱宗钰;周成龙;王康康;李淮斌 | 申请（专利权）人： | 江苏时代芯存半导体有限公司;北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PVD方法，属于集成电路制造领域。该方法包括：水气去除步骤：将晶圆放入第一腔室，用第一腔室的灯泡照射晶圆，从而去除晶圆表面的水气。氧化层清除步骤：将晶圆放入第二腔室，向第二腔室中通入氩气，使氩气电离为氩离子，氩离子轰击晶圆，去除晶圆表面的氧化层。相变材料沉积步骤：将晶圆放入第三腔室，在晶圆的上表面形成相变材料薄膜层。退火步骤：将晶圆放入第四腔室，并向第四腔室通入氮气，对晶圆进行退火处理。钛沉积步骤：将晶圆放入第五腔室，在晶圆的相变材料薄膜层上形成钛薄膜层。氮化钛沉积步骤：将晶圆放入第六腔室，在晶圆的钛薄膜层上形成氮化钛薄膜层。采用本发明的方法，可以提高相变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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