[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211428624.4 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115915753A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 储嘉虹 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;徐川 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成导电层，在形成导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，第一凸起在衬底上的投影与微尘杂质颗粒在衬底上的投影至少部分重合；形成覆盖导电层的第一绝缘层，第一绝缘层的厚度不大于第一凸起相对于其他平坦区域的高度差；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；去除第二绝缘层，包括：对第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露第一绝缘层，且第一绝缘层至少还覆盖第一凸起；其中，第二绝缘层的刻蚀速率大于第一绝缘层的刻蚀速率；采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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