[发明专利]基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法在审
| 申请号： | 202211409763.2 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115903331A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 杨青;林沐春;庞陈雷;张乾威;杨啸宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02B5/00;G02B21/06;G02B21/36;G02B27/58 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法，属于移频超分辨显微成像领域。深移频超分辨成像芯片包括由下至上依次堆叠设置的衬底层、非线性光学材料膜层、表面等离激元膜系和微结构层；表面等离激元膜系和微结构层的中央区域整体贯穿开设有多边形孔槽，暴露出的部分非线性光学材料膜层作为成像样品放置区；环绕多边形孔槽，微结构层的上表面刻设有若干组微结构。本发明利用非线性四波混频效应激发、调控和增强超大波矢倏逝场并应用于移频超分辨成像，解决了天然波导材料提供的倏逝场波矢有限且波矢越大信号较弱的问题，可在保证成像质量的前提下突破现有线性移频超分辨成像技术的分辨率上限。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 非线性 倏逝场 深移频超 分辨 显微 芯片 及其 成像 方法 | ||
【主权项】：
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