[发明专利]IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211405951.8 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116190435A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 侯晓伟;郭依腾;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/311;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT的发射极、栅极和集电极；虚设栅极，设置于栅极和IGBT发射极之间；NMOS管，其源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；NPN三极管，其集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过电感与IGBT发射极电连接；PNP三极管，其集电极与虚设栅极电连接，发射极与IGBT发射极电连接，基极通过所述电感与IGBT发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态(导通、开通和关断)时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海功成半导体科技有限公司，未经上海功成半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211405951.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
