[发明专利]一种多栅极可控型IGBT芯片及其工作方法在审
| 申请号： | 202211401545.4 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115458589A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 翟露青;彭宝刚 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37275 | 代理人： | 高鹏飞 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多栅极可控型IGBT芯片及其工作方法，属于半导体器件制造领域。一种多栅极可控型IGBT芯片，包括芯片主体，芯片主体的内部设有多组沟槽，每组沟槽内有N个栅极沟槽，芯片主体的一面上设有N个栅极和发射极，芯片主体的另一面上设有集电极；N个栅极沟槽与N个栅极对应连接，N≥2。应用于上述芯片的工作方法，包括全部栅极沟槽导通、部分栅极沟槽导通、单独栅极沟槽导通和屏蔽沟槽栅结构四种模式。实际使用该芯片时，可根据使用需求来灵活匹配工作模式，不同的工作模式对应不同的性能参数。因此，本发明在流片后可调节其各项性能参数之间的折衷关系，从而有助于IGBT芯片发挥最好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 可控 igbt 芯片 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
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