[发明专利]一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法在审
申请号: | 202211374999.7 | 申请日: | 2022-11-04 |
公开(公告)号: | CN115663055A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 齐红基;陈端阳;包森川;张龙 | 申请(专利权)人: | 杭州富加镓业科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 刘芙蓉 |
地址: | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法,探测器包括:导电衬底;氧化镓薄膜,设置在导电衬底一表面上,氧化镓薄膜远离导电衬底的一侧设置有凹槽;氧化镓纳米线阵列,设置在凹槽中;二维材料层,覆盖在氧化镓纳米线阵列及氧化镓薄膜上,并与氧化镓纳米线阵列形成异质结结构;阴极,设置在导电衬底远离所述氧化镓薄膜的一侧;阳极,设置在二维材料层远离氧化镓纳米线阵列的一侧。本发明通过异质结形成的内建电场与氧化镓纳米线阵列压电效应产生的压电势构建的内建电场相叠加,加快载流子分离和迁移,降低载流子的复合率,大幅提高探测器在日盲紫外光照下的电流,提高探测器的响应度和响应速度,提高探测器的光电探测性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 镓日盲 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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