[发明专利]边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法在审
申请号: | 202211370471.2 | 申请日: | 2022-11-03 |
公开(公告)号: | CN115755290A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 冒芯蕊;李艳平;冉广照 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;H01S5/026;H01S5/10;H01S5/14 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 贾瑞华 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法,属于光子集成领域,通过将边发射激光芯片倾斜装焊在硅光芯片之上,把倾斜输出的光直接投射到硅光波导入射光栅上,对激光芯片和硅光芯片的结构和加工工艺无特殊要求,对于波导和光源的对准精度要求低、加工容差大,有利于降低加工封装成本;本发明中入射至硅光波导入射光栅的光线与垂直方向之间存在倾角,可有效抑制光耦合过程中的背向反射,提高耦合效率;本发明无需引入额外的全内反射转接结构或将激光芯片输出波段端面进行额外加工,降低了反射损耗、简化了工艺流程;本发明可以在现有微电子或光电子的封装线上完成,不引入额外加工步骤,可批量放大自动化生产。 | ||
搜索关键词: | 发射 激光 芯片 波导 耦合 结构 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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