[发明专利]基于VO2在审

专利信息
申请号: 202211369289.5 申请日: 2022-11-03
公开(公告)号: CN115628821A 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 梁森;崔景贺;王健;蒋权伟;王林 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: G01K7/16 分类号: G01K7/16;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/18
代理公司: 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 代理人: 孙彦虎
地址: 750000 宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明提供一种基于VO2薄膜的温度传感器及其制备方法,属于温度传感器技术领域,其中,所述基于VO2薄膜的温度传感器,包括从下到上依次层叠的金属电极、单晶硅衬底、防护层、缓冲层、VO2薄膜、金属电极。本发明的基于VO2薄膜的温度传感器中VO2薄膜的相变温度达到73.6℃,相变幅度R达到1097.31,使其能够适应高于VO2本征相变温度的工作环境,具有优异的电学性能。
搜索关键词: 基于 vo base sub
【主权项】:
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