[发明专利]一种器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211362872.3 | 申请日： | 2022-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115588649A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘同心 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 吴浩 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种器件结构及其制备方法，器件结构自下而上包括第一介质层、蚀刻停止层和第二介质层；所述第一介质层中形成有表面露出的第一金属互连线；所述第一金属互连线的表面上形成有导电二维材料层图形；所述二维材料层上方形成有位于所述蚀刻停止层上的凹形结构，所述凹形结构的底面上设有贯穿所述蚀刻停止层的窗口；所述第二介质层中形成有通孔，所述通孔的底部通过所述窗口与所述二维材料层的表面相连通。本发明能有效提高上下层金属互连线之间的导电性能，实现通孔关键尺寸的放大及自对准，并可避免对互连线金属造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211362872.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
