[发明专利]利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关在审
申请号: | 202211345480.6 | 申请日: | 2022-10-31 |
公开(公告)号: | CN115642909A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 沈光煦;马海涛 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 熊玉玮 |
地址: | 210046 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关,属于基本电子电路的技术领域。该半导体射频单刀双掷开关包括:第一射频端口、第二射频端口、第三射频端口、第一开关臂、第二开关臂,摒弃采用长度为λ/4的传输线避免两个开关臂之间相互影响的方案,利用断开开关臂的加载效应与增加的短路电容形成谐振回路,通过在每个开关臂中增加晶体管与补偿电感形成的谐振单元,并通过级间耦合电感连接各谐振单元,改善处于导通状态下开关臂的回波损耗,将回波损耗提高至20dB以上,通过增加晶体管数量的方式在传输通带内增加传输极点,实现宽带高隔离特性。 | ||
搜索关键词: | 利用 端口 加载 效应 半导体 射频 单刀 开关 | ||
【主权项】:
暂无信息
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