[发明专利]基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法在审
| 申请号: | 202211333575.6 | 申请日: | 2022-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN115711929A | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
| 发明(设计)人: | 张睿;孙钰 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414;G01N33/533;G01N33/543;G01N21/64 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 刘静 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种基于场效应晶体管结构的光电免疫检测设备及其制造方法,该设备利用了间接免疫荧光测定方法,将光信号转换成电信号对抗原进行检测;该设备由场效应晶体管、硅光波导环形谐振器、储液槽三部分构成,三部分均在同一个绝缘层上硅衬底上制备而成;绝缘层上硅膜刻蚀形成硅光波导环形谐振器,硅光波导环形谐振器的直波导的一端作为光输入端口与储液槽相连,另一端作为光输出端口与场效应晶体管的沟道相连;储液槽表面进行修饰,用于滴加待检测样品并固定样品中抗原。本发明可以很好的将免疫检测与集成电路制造工艺结合,降低检测成本以及操作难度。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 场效应 晶体管 结构 光电 免疫 检测 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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