[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211327562.8 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116259594A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 堀元人;池田良成 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L23/14;H01L23/373;H01L25/065;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 权圣;周爽 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供抑制与半导体装置隔着导体层的连接相伴的质量的降低的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体模块具备导体层、导体层上的绝缘板、绝缘板上的电路图案层以及电路图案层上的半导体芯片。导体层具有第一贯通孔。绝缘板在与第一贯通孔相对的部位具有开口尺寸比第一贯通孔大的第二贯通孔。电路图案层在与第二贯通孔相对的部位具有开口尺寸比第二贯通孔大的开口部。在与冷却体连接时，在导体层与冷却体之间设置热传导介质，通过插通于开口部、第二贯通孔以及第一贯通孔而与螺纹安装孔螺合的螺纹部件，向冷却体侧按压第二贯通孔内的、导体层的第一贯通孔的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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