[发明专利]晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺在审
| 申请号： | 202211327309.2 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115662927A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 许捷;祁玉发;时家淳;段亦锋;徐飞;高鹏程;刘峰松;吴贤勇 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黄贞君;秦亚群 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺。其中的晶圆清洗花篮相向的两块载板上设置有彼此对称的装载区域，装载区域包括至少两个垂直于固定板的卡条，卡条之间设置有若干个供酸洗液通过的矩形孔，卡条的内壁设置有用于放置晶圆的卡槽，当晶圆清洗花篮的开口竖直向上放置时，靠近装载区域的水平中心线的卡槽深度小于远离水平中心线的卡槽深度，下方的矩形孔尺寸不小于上方的矩形孔尺寸，且矩形孔的上下边缘由卡槽边缘构成。通过对晶圆清洗花篮的形貌改进，能够减少晶圆边缘与卡槽的接触面积，保证晶圆背面各处的酸液流动速度相同，进而保证各处的蚀刻速度相同，避免边缘发黑，提升晶圆的美观程度，保证产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 花篮 酸洗 工艺 背面 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
