[发明专利]一种激光直写晶化制备图形化YIG薄膜的方法在审
| 申请号： | 202211314809.2 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115542683A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 师丽红;王静雯;阎文博 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用激光直写晶化制备图形化YIG薄膜的方法，即通过溶胶凝胶法在单晶Si衬底上首先制备一层取向生长的YIP薄膜作为缓冲层，然后在缓冲层上旋涂YIG凝胶薄膜并利用聚焦激光按照预定图形进行扫描实现初步晶化，并利用去离子水清洗剩余凝胶达成图形化，最后对初步晶化的图形化YIG薄膜高温退火实现进一步外延晶化，从而完成高质量图形化YIG薄膜制备。上述方法具有制备温度低、工艺简单的特点，可制备任意二维YIG图形薄膜，满足不同硅基YIG光子学器件的集成需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 直写晶化 制备 图形 yig 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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