[发明专利]一种集成电路充电器件模型静电放电敏感度试验方法在审
| 申请号： | 202211307107.1 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115656774A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 万博;侯鑫;付桂翠;龙梦翔;钟京洋 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种集成电路充电器件模型静电放电敏感度试验方法，第一方面，本发明提供了集成电路充电器件模型静电放电试验方法要素，包括CC‑TLP试验方法原理以及CDM试验要求。第二方面，本发明提供了一种集成电路充电器件模型静电放电试验程序。本发明相较于传统的充电器件模型静电放电试验方法，重复性及准确率高，有助于在工程实践中准确对集成电路充电器件模型的静电放电试验敏感度进行分级。此方法属于集成电路充电器件模型静电放电试验方法技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 充电 器件 模型 静电 放电 敏感度 试验 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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