[发明专利]一种减少光刻显影缺陷的调控方法在审
| 申请号： | 202211305422.0 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN115793418A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 潘钙 | 申请（专利权）人： | 湖南楚微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/16 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少光刻显影缺陷的调控方法，对旋覆浸没显影工艺进行调控，包括以下步骤：对半导体基片的显影面进行浸润和冲洗，停止旋转，调节内杯高度，使半导体基片位于内杯的腔体内部，开启旋转，喷洒显影液，显影，停止旋转，调节内杯高度，使半导体基片与内杯斜切面上方的平面处于同一水平面，开启旋转，去除基片表面杂质。本发明调控方法，通过显影过程并调控显影过程中内杯升降运动、半导体基片旋转运动、喷水、喷液等动作，不仅可以有效避免半导体基片表面形成缺陷，而且能够降低设备清洗频率，从而有利于提高有效管芯的良率，其中有效管芯的良率提升幅度为5%‑20%，以及有利于提高生产效率和降低成本，使用价值高，应用前景好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 光刻 显影 缺陷 调控 方法 | ||
【主权项】：
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