[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 202211302847.6 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN115528153A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 程金连;张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王建宇 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的AlN层、缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述缓冲层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的AlGaN层、多晶GaN层、HT‑GaN层和低掺GaN层，所述缓冲层的周期数≥2，所述低掺GaN层的掺杂浓度为1.5×10 |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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