[发明专利]一种赝电容基超级电容器二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211291515.2 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115631950A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 阎兴斌;唐培;谭吴洋;景鹏玮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01G11/32 | 分类号： | H01G11/32;H01G11/24;H01G11/58;H01G11/60;H01G11/86 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 范伟民 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于混合电容器和离子二极管技术领域，具体涉及一种赝电容基超级电容器二极管及其制备方法。本发明的二极管包括赝电容材料正极、碳材料负极和水系碱性电解液。与传统的半导体二极管和离子二极管不同，本发明的新颖赝电容基超级电容器二极管是基于常见金属氧化物在水系碱性电解液中的离子选择性表面氧化还原反应而构筑得到。该器件成功地将二极管的单向导通特性整合到赝电容器中，从而实现了同时具备快速离子传导/存储和有效阻断单向电流相应的功能。本发明的赝电容基超级电容器二极管在电路系统中既可以作为能量存储单元，也可以作为具有信息存储功能的计算单元，从而应用于离子逻辑电路(“与”、“或门”)以及神经形态学计算中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 超级 电容器 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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