[发明专利]一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 202211273586.X | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN116065122A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杜淼;王树茂;李帅;米菁;郝雷;高殿超;范爱玲;许科 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司;北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/30;C23C14/32;H05H7/08 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种中子发射管用复合储氘涂层材料及其制备方法，通过采用气相沉积的方法，在基材表面上沉积金属过渡层来进一步增强涂层与基底间结合强度。在金属过渡层表面沉积制备金属氘化物薄膜，通过控制溅射过程中通入氘气的百分比来调控沉积涂层中的储氘量，在满足较高储氘密度与良好热稳定性的前提下，提高涂层抗氢脆和储氘性能，最后在储氘薄膜表面沉积保护层，来提升储氘复合薄膜的抗氧化和抗碳化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子 发射 管用 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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