[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在审
| 申请号： | 202211266711.4 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115548188A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张骏;张毅;岳金顺;陈景文 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，包括由下至上设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及P型接触层，其中，深紫外发光二极管还包括漏电改善层，漏电改善层设置于电子注入层与电流扩展层之间，和/或者设置于所述量子阱有源层与所述电子阻挡层之间，所述漏电改善层为非故意掺杂层；上述漏电改善层不仅可以减少电子注入层向量子阱有源层穿透的位错密度，且能够阻挡电子注入层中的硅元素向量子阱有源层的内部扩散，或者能够阻挡空穴注入层中的镁元素向量子阱有源层的内部扩散，最终减小了深紫外发光二极管的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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