[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池埋底界面修饰方法及钙钛矿太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202211264655.0 申请日: 2022-10-17
公开(公告)号: CN115568258A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 殷鹏刚;孙伟伟;霍晓楠;尤汀汀;高宇坤 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H10K71/00 分类号: H10K71/00;H10K71/12;H10K71/40;H10K30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种钙钛矿太阳能电池埋底界面修饰方法及钙钛矿太阳能电池,所述的埋底界面修饰层由具有特殊官能团的醋酸镍水溶液修饰后产生,一方面可以钝化电子传输层表面氧空位,减少了表面悬挂键,同时优化了ETL与PVK之间的能级匹配,缩小了能级壁垒,使电子的转移与提取更加高效。另一方面在退火过程中醋酸镍与钙钛矿层中的有机胺盐组分发生化学反应,产生的NiI2钝化PVK埋底界面的缺陷,同时Ac向上扩散调节结晶过程,最终以反应生成MAAc/FAAc的蒸汽形式离开薄膜。与此同时Ac调整钙钛矿层结晶过程,减少表面PbI2含量,增大了晶粒尺寸并且使晶粒尺寸分布更加均匀,改善了界面接触,提升薄膜质量,有效的提高钙钛矿层的光电转换效率与稳定性。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 太阳能电池 界面 修饰 方法
【主权项】:
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