[发明专利]一种利用光电法测量GaN宽温谱吸收系数的方法及装置在审
| 申请号： | 202211238806.5 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115824983A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;刘燕晴;张一帆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27;G01N21/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光电法测量GaN宽温谱吸收系数的方法及装置。温度在一定程度上决定了GaN材料的吸收系数等参量，并最终对GaN基光电器件的性能有着重要的影响，因此不同温度下GaN材料吸收系数的测量和确定尤为重要。现提出如下方案：所述方法为光电法；所述装置包括紫外光源、单色仪、NEA GaN温控封装组件、光电测量单元。本发明提供的方法及装置能够精确获得宽温谱范围内的GaN材料吸收系数，适用于不同掺杂浓度、扩散长度GaN吸收系数的测量，且温度测量精度可调范围大、结构简单、精确度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光电 测量 gan 宽温谱 吸收系数 方法 装置 | ||
【主权项】：
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