[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202211234158.6 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115312591B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;伍济 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 11855 | 代理人： | 陈钊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种快恢复二极管，其从上至下依次包括阳极金属、N型漂移区、N型衬底和阴极金属；还包括P型轻掺杂区、P型重掺杂区、沟槽和SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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