[发明专利]一种气态雾化法制备硅基复合材料及制备方法在审
| 申请号： | 202211221647.8 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115566167A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘登华;陈英楠;孙梦奇;郝文玉;刘殿忠 | 申请（专利权）人： | 胜华新材料集团股份有限公司;胜华新材料科技（眉山）有限公司;胜华新能源科技（东营）有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;B22F1/18;B22F9/16;C01B32/05;C01B33/021;H01M4/38;H01M4/62 |
| 代理公司： | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人： | 赵春利 |
| 地址： | 257000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气态雾化法制备硅基复合材料及制备方法。该方法包括如下步骤：制备多孔纳米硅并压制成块状结构，转移到沉积腔中，并在一定温度和压强下，采用气体雾化法分别通入金属溶液和催化剂溶液沉积在多孔纳米硅的表面，之后在惰性气氛下通入气体进行沉积、碳化，洗涤、干燥得到金属及其碳纳米管掺杂无定形碳包覆硅基复合材料。其复合材料利用雾化法可以使金属均匀掺杂在包覆层中降低阻抗，并利用表面的催化剂为基体生长碳纳米管及其形成的网络结构提升材料的电子导电率，同时气体雾化法相比传统的液相/固相包覆技术，具有均匀性强、效率高，过程可控，并根据需求调整材料种类和配方，灵活性强，可以显助提升材料的制备效率、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气态 雾化 法制 备硅基 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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