[发明专利]金属互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 202211203122.1 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115527928A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 范思苓;倪立华;蔡毅;许隽;吴坚;周军 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种金属互连结构的形成方法，包括：在第一介质层上形成第二介质层，第一介质层中形成有第一金属连线；在第二介质层中形成通孔，通孔底部的第一金属连线暴露；形成粘附层，粘附层包括钛层；在粘附层表面形成氮化钛层；在氮化钛层表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成第一金属层，第一金属层与第一金属连线的构成材料不同；进行平坦化，去除通孔外的粘附层、氮化钛层、阻挡层和第一金属层，通孔内的粘附层、粘附层表面的氮化钛层、阻挡层和第一金属层形成接触孔。本申请通过在接触孔最外侧的粘附层形成后，在粘附层表面形成氮化钛层，因此能够阻挡后续工艺中的氯元素穿透粘附层与其下方的第一金属连线发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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