[发明专利]纳米线制备方法在审
| 申请号： | 202211201779.4 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115448251A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杜海峰;江瑞;王宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线制备方法，包括以下步骤：在块状材料上沉积长条状的第一保护层(S1)，用聚焦离子束在块状材料上刻蚀出楔形槽，形成待加工薄片(S2)，用聚焦离子束对待加工薄片进行刻蚀加工，形成减薄薄片(S3)，在减薄薄片彼此相对的两个面上沉积第二保护层(S4)，将沉积了第二保护层的减薄薄片转移到基片上(S5)，用聚焦离子束对基片上的减薄薄片进行刻蚀加工，形成纳米线(S6)。由于聚焦离子束刻蚀是物理方法，本发明的制备方法适用于任何材料，能制备出高长度直径比例的纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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