[发明专利]一种利用气相输运法制备GeI2

摘要

本发明公开了一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法，使用氧化锗、次磷酸、氢碘酸、碘化铯为原料进行CsGeI3的粉末合成，在石英管的底部放入CsGeI3粉末，对石英管进行氩气清洗后抽真空，抽真空后密封石英管；使用布里奇曼炉对石英管进行加热、保温，然后梯度降温即可在石英管冷区获得GeI2单晶，石英管底部所剩余的为碘化铯，并且这部分碘化铯可重新用于CsGeI3粉末的合成。本发明提供了一种流程简单、易于工业化生产、重复率高、产率高、单晶质量高、成本低廉的气相传输制备高质量GeI2单晶的方法。