[发明专利]一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法在审
| 申请号： | 202211157490.7 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115473023A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘国华;尤明晖;余建源;宋宇;程知群 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P5/16 | 分类号： | H01P5/16;H01P3/18;H01P11/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 金肯晗 |
| 地址： | 311400 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法，包括介质基板，上下蚀刻金属层以及四个端口。上层金属层由四根弯折馈线，波导上表面以及金属过孔阵列组成。下层金属层作为接地面并设有金属过孔阵列。波导上表面使用金属过孔和蚀刻技术形成类分支半模波导耦合结构，实现了弱耦合的性能。在波导中央矩形区域两端蚀刻出两条短路短截线来改善耦合器的方向性特性。本发明采用一种新颖的类分支基片集成波导耦合结构实现了弱耦合耦合器，在同类型发明中具有优秀的宽带，平坦度和方向性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半模基片 集成 波导 耦合 耦合器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
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