[发明专利]一种基于二维半导体二硒化钼掺杂的钙钛矿太阳能电池在审
| 申请号： | 202211156870.9 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115623797A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 郝阳;杨慧敏;任静琨;郝玉英 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H10K30/50 | 分类号： | H10K30/50;H10K30/10;H10K30/88;H10K85/50 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 耿联军 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明涉及太阳能电池领域，一种基于二维半导体二硒化钼掺杂的钙钛矿太阳能电池，光吸收层为钙钛矿活性层，钙钛矿活性层中掺有二维半导体二硒化钼MoSe |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 半导体 二硒化钼 掺杂 钙钛矿 太阳能电池 | ||
【主权项】：
暂无信息
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