[发明专利]深紫外发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211142488.2 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115692553A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层及P型接触层；非掺杂AlGaN层包括沿外延生长方向依次沉积的三维成核层/二维侧向生长层、三维‑二维过渡层及二维平整层；三维成核层/二维侧向生长层包括周期性依次交替生长的三维成核层及二维侧向生长层，三维‑二维过渡层的Al组分含量及生长温度由二维侧向生长层的Al组分含量及生长温度逐渐增长至二维平整层的Al组分含量及生长温度。本发明可有效降低外延片的位错密度，形成高质量的高Al组分AlGaN材料，进而有效提高深紫外发光二极管的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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