[发明专利]高丰度高Br高Hcj铈铁硼双合金永磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 202211140619.3 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115482983A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 吴庆昌;李建东;周青;周从军;贾小武;李伟;胡剑林;马健兰 | 申请（专利权）人： | 江西粤磁稀土新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 邢佳佳 |
| 地址： | 341100 江西省赣州市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供高丰度高Br高Hcj铈铁硼双合金永磁体及其制备方法，涉及永磁材料技术领域。该高丰度高Br高Hcj铈铁硼双合金永磁体，包括99％‑60％铈铁硼主体合金、1‑40％重稀土合金，以铈铁硼主体合金为主要原料，重稀土合金作为辅料，主辅料共混构成高丰度高Br高Hcj铈铁硼双合金永磁体，在中心层外围包覆重稀土合金作为表面层，进而形成高性能铈铁硼永磁体。通过双合金生产技术的验证成功，使中高以上性能可以以不同比例加入铈金属，验证了高Br、高Hcj不能加入铈金属的错误观点，降低了高性能配方成本，同时有利于解决高丰度稀土与边界强化技术难结合应用的技术难点，通过使用高丰度廉价稀土元素替代昂贵稀土，可有效节约稀土资源。 | ||
| 搜索关键词： | 高丰度高 br hcj 铈铁硼双 合金 永磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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