[发明专利]基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法在审
| 申请号： | 202211129647.5 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115389900A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李贺龙;韩亮亮;张满;于浪浪;王澳;赵爽;杨之青;丁立健 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H02H9/04;H02J7/00;H02J7/34 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 陆丽莉;何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法，包括：充电电路，浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成，其中，充电电路由一个电压源和薄膜电容组成，进行浪涌测试之前，对薄膜电容进行充电，充电过程由充电电路进行；浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成，并产生正弦电流，被测器件为SiCMOSFET；驱动电路是对被测器件SiC MOSFET进行开通和关断。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic mosfet 浪涌 电流 测试 电路 放电 方法 | ||
【主权项】：
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