[发明专利]一种低维结构电子源及其制备方法在审
| 申请号： | 202211122035.3 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN115410880A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 方琦;郑克亮;夏斌;王积超;吴长征;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低维结构电子源，由稀土硼化物纳米线、热源材料和难熔金属沉积层组成；所述热源材料由圆柱形区域、设置于所述圆柱形区域上部的宽度逐渐减小的宽度柱状区域和设置于所述宽度柱状区域上部的尖端区域；所述稀土硼化物纳米线设置于所述尖端区域顶端，所述难熔金属沉积层包覆所述尖端区域和部分所述稀土硼化物纳米线，以稳固所述稀土硼化物纳米线。本申请提供的低维结构电子源通过低功函数稀土硼化物纳米线的引入，而使得本申请提供的低维结构电子源在冷场发射的模式下，能够实现低能散、高亮度、高发射稳定性、高单色性以及长使用寿命等发射特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 电子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211122035.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种积分入户用便携式扫描终端
- 下一篇：显示面板及其制作方法
