[发明专利]一种隧穿型忆阻器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211115756.1 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115589772A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 葛军;马泽霖;陈莞君;曹栩诚;刁山青;林浩;刘志宇;潘书生 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人： | 刘志敏 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电子器件领域，公开了一种隧穿型忆阻器及其应用，该隧穿型忆阻器自上至下依次由顶电极、渗流层、隧穿层和底电极组成，其中，所述渗流层为活性金属掺杂的氧化硅层。本发明采用活性金属掺杂的氧化硅层提供的活化能低、迁移速度快、不存在退极化问题的活性金属团簇充当调节隧穿层势垒的媒介，有效解决传统隧穿型忆阻器中氧空位迁移速度慢、容易退极化的问题，在保持了传统隧穿型忆阻器循环稳定性高、连续电导调节能力强的优势外，还赋予了器件开关速度快、数据保持时间长等导电细丝型忆阻器才具备的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧穿型忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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