[发明专利]基于隧穿钝化接触技术的硅基光电化学制氢光阳极制备方法在审
| 申请号： | 202211111662.7 | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN115558952A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 陆洋;冯毅;刘猛 | 申请（专利权）人： | 上海航天能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C25B11/04 | 分类号： | C25B11/04;C25B11/049;C25B11/02;C25B1/04;C25B1/55 |
| 代理公司： | 北京博识智信专利代理事务所(普通合伙) 16067 | 代理人： | 孙炎 |
| 地址： | 201201 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于隧穿钝化接触技术的硅基光电化学制氢光阳极制备方法，包括选择双面抛光的n型单晶硅衬底进行清洗处理，将处理后的n型单晶硅片放入使用碱性制绒溶液中进行各向异性的腐蚀，将腐蚀后的处理后的n型单晶制绒片进行单面的反应离子刻蚀处理，对处理后的n型单晶硅基体背面进行抛光处理，处理后的n型单晶硅基体的背面沉积隧穿氧化层，本发明使用反应离子刻蚀技术和碱湿法制绒结合，可以制备出微纳复合的陷光纹理表面，克服了纯纳米黑硅结构机械鲁棒性差、表面复合速率高的缺点，更适合工业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 钝化 接触 技术 硅基光 电化 学制 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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