[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202211109596.X | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN115881683A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 马相延;康东熙;李尚炫 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/13;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包含第一衬底，所述第一衬底具有第一衬底顶侧、与所述第一衬底顶侧相对的第一衬底底侧、插入于所述第一衬底顶侧和所述第一衬底底侧之间的第一衬底横向侧及第一衬底导电结构。电子组件耦合到所述第一衬底顶侧且耦合到所述第一衬底导电结构。支撑件包含支撑壁，所述支撑壁具有耦合到所述第一衬底顶侧的第一凸缘、耦合到所述第一衬底横向侧的第一立板及远离所述第一衬底横向侧从所述第一立板延伸的第二凸缘。本文中还公开了其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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