[发明专利]适用于多种基底材料表面原位生长层状双金属氢氧化物层的普适性制备方法有效
| 申请号： | 202211101131.X | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115650177B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 洪舒贤;董必钦;曾磊;邢锋;陈沛瑜 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C01B13/36 | 分类号： | C01B13/36;C01G9/00;C01F7/785;C25D9/04;C25D5/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 黄明光 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了适用于多种基底材料表面原位生长层状双金属氢氧化物层的普适性制备方法，属于材料合成技术领域。本发明通过电沉积结合水热处理的方法在基体表面原位生长层状双金属氢氧化物LDH保护层，利用电沉积在基底材料表面先形成LDH的晶种层，再采用水热处理使LDH晶种经过奥斯瓦尔德熟化过程晶化长大，形成一种层间阴离子为硝酸根的LDH保护层，该保护层可对基底进行抗锈蚀保护，且由于层间阴离子为硝酸根，其可以与其他缓蚀性阴离子进行交换，具有可修饰性。实施例的结果显示，本发明制备的层状双金属氢氧化物保护层的腐蚀电位为‑548.59mV，而无保护层的钢基底的腐蚀电位为‑708.57mV。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 多种 基底 材料 表面 原位 生长 层状 双金属 氢氧化物 普适性 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211101131.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
