[发明专利]基于PEEK衬底的多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备和应用在审

专利信息
申请号: 202211100122.9 申请日: 2022-09-09
公开(公告)号: CN116390634A 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 胡益丰;曹丽雯;高士伟;朱小芹 申请(专利权)人: 江苏理工学院
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/10
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 杭行
地址: 213011 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种基于PEEK衬底的多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备和应用,该薄膜材料是将Ge2Sb2Te5、Sb金属层在柔性PEEK衬底上交替沉积复合而成的,其化学通式为[Ge2Sb2Te5(xnm)/Sb(ynm)]a,xnm为单层Ge2Sb2Te5层的厚度且1nm≤x nm10nm;ynm为单层Sb层的厚度且1nm≤y nm10nm;a为Ge2Sb2Te5层和Sb层的交替周期数,2≤a10;该相变存储薄膜材料在具有柔性的基础上具备较好的热稳定性,晶化速度加快,解决了传统Ge2Sb2Te5相变材料热稳定性差的问题,应用在相变存储器中可提升器件的综合性能,发展前景广阔。
搜索关键词: 基于 peek 衬底 多层 纳米 复合 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 应用
【主权项】:
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