[发明专利]一种背沟道式氧化物TFT结构在审
| 申请号： | 202211082959.5 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115411116A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林云娇 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背沟道式氧化物TFT结构，其基板上设有第一金属层，第一金属层包括栅极；基板上还设置有第二金属层，第二金属层与第一金属层相邻设置，所述第二金属层包括栅极驱动线，所述栅极驱动线与栅极电连接；或所述第二金属层位于第一金属层上方或下方，所述第二金属层与对应位置处的第一金属层构成栅极驱动线；所述第一金属层和第二金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有有源层；所述有源层之上设置有第三金属层，所述第三金属层包括源极、漏极以及数据信号线。本发明通过结构优化以减少源漏极金属离子对沟道区的扩散效果，同时氧化物TFT有源层沟道上下界面间、栅极与绝缘层间的薄膜应力差异，从而提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 氧化物 tft 结构 | ||
【主权项】：
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